Résumé

Dans le cadre des études de fiabilité de composants à base de GaN, l'instabilité des indicateurs de dégradation est problématique, car il est nécessaire de décorréler la variation due au vieillissement et celle due à l'état des pièges du composant. Une étape de préconditionnement doit être appliquée avant la caractérisation électrique des diodes Schottky latérales GaN pour s'affranchir de l'état des pièges dans la structure. Cette étude se propose d'évaluer l'impact de plusieurs paramètres pouvant intervenir dans la reproductibilité de la caractérisation de la diode dans ses deux modes de fonctionnement pour conclure sur une procédure recommandée dans le cadre de vieillissement de diodes Schottky sur plaquette.