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Méthode de détection de l'initiation du délaminage dans les assemblages MOSFETs SiC sur PCB
Auteurs :
Affiliations : 1 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie ( France), 2 - Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie ( France)
Thématique :
Intégration de puissance, assemblage et packaging
Session :
SP1 "Session Poster 1"
Résumé
Cet article présente une méthode d'évaluation del'initiation du délaminage dans les angles d'une brasure d'unassemblage 3D sur substrat PCB. Cet assemblage repose sur lebrasage de matériaux métalliques et l'intégration de MOSFETsSiC de dimensions relativement petites par rapport à celles dudissipateur. Ce développement méthodologique s'inscrit dansl'évaluation de la robustesse d'un nouveau modèle d'assemblagede composants dit grand Gap. Or, les méthodes conventionnellesne répondent pas efficacement à la détection de l'initiation dudélaminage de la brasure. La méthode, adaptée aux besoins descampagnes de vieillissement accéléré, repose sur des mesuresélectriques présentant une grande sensibilité pour détecter ledébut du délaminage de la brasure. Des simulations par élémentsfinis sont réalisées pour quantifier les performances et les limitesde la méthode. Aussi, afin de vérifier ces résultats, des prototypesreprésentatifs de l'assemblage sont fabriqués avec un contrôle dudélaminage dans les angles de la brasure.