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Onduleur classe DE à base de transistors GaN fonctionnant à 40,68 MHz
Auteurs :
Affiliations : 1 - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information ( France)
Thématique :
SS1 - Conversion d’énergie électrique aux fréquences HF/VHF
Session :
SS1 "SS1 - Conversion d’énergie électrique aux fréquences HF-VHF"
Résumé
Avec les récentes améliorations des semiconducteurs, notamment la fiabilisation des transistors grand gap à base de GaN, les onduleurs de classe DE (bras de pont) deviennent pertinent dans la bande VHF (30 MHz - 300 MHz) et concurrencent les topologies mono-interrupteurs « historiques ». Les onduleurs de classe DE ont l'avantage d'être plus simple à dimensionner et comportent moins de composants passifs. Dans cet article, nous présentons les paramètres clés intervenant dans le dimensionnement de ce type de convertisseur, ainsi que les défis de mise en œuvre et des solutions pratiques. Afin d'appuyer les résultats théoriques, un prototype d'onduleur a été réalisé et testé jusqu'à une fréquence de 40,68 MHz. Ce dernier délivre une puissance RF (Radiofréquence) de 33,59 ± 1,14 W sur charge 50 Ω avec un rendement de 90,0 ± 3,0 %.