Résumé

La connexion en parallèle des transistors de puissance est une approche répandue pour accroître la capacité en courant des systèmes de conversion. Les récentes avancées concernant les composants large bande offrent de nouvelles possibilités mais imposent de relever de nouveaux challenges. Lorsque ces composants sont connectés en parallèle, il est nécessaire de synchroniser leur commande. Le décalage entre les tensions de grille dû aux différences entre les gate drivers est l'une des causes du déséquilibre des courants de puissance. Cet article présente une nouvelle structure de gate driver conçue pour assurer la synchronisation de huit modules SiC 1,2 kV et 204 A (réf. BSM180D12P2E002) en parallèle. Il répond également à la problématique d'oscillations de la boucle de grille formée par la connexion des transistors. Un canal de synchronisation dédié assure une précision temporelle inférieure à 100 ps. L'architecture modulaire, en chaîne, permet une mise à l'échelle simple vers d'autres configurations. Les tests valident le bon fonctionnement entre -20 °C et 80 °C, avec un écart maximal de propagation limité à 5,15 ns. Cette conception facilite une commutation rapide et fiable dans les systèmes à transistors en parallèles.