Résumé

Le mécanisme des pertes dans un transistor GaN e-mode diffère des transistors classiques étant donné la résistance dynamique à l'état passant. Un modèle compréhensif et une méthode de test pour ces transistors GaN est proposé dans ce papier pour une évaluation rapide et une comparaison entre deux méthodes. La méthode expérimentale est basée sur la méthode par opposition qui permet d'émuler différentes applications, comme un dc-dc isolé ou encore un Totem Pole PFC. L'émulation est basée sur le locus de commutation du transistor opérant dans une application réelle. Ce papier montre la corrélation entre une approche théorique et une approche expérimentale de l'évaluation de transistors GaN forte puissance opérant de 3 kW à 8 kW.