Résumé

Les pertes de commutation des transistors à effet de champ de puissance tels que les IGBT en silicium, les MOSFET,les MOSFET SiC, les HEMT GaN et les transistors FET endiamant en cours de développement, dépendent fortement descourants de commande de grille. Ces courants sont généralementfi xés par des résistances de grille. Cependant, il est alors diffi cilede modifi er les vitesses de commutation, en particulier lors de lacaractérisation des pertes de commutation, et d'intégrer de telschangements dans la conduite automatisée de plan d'expériences.Dans ce travail, nous présentons un circuit simple pour ajouterune fonctionnalité d'ajustement à toute alimentation isolée decommande de grille, qui peut être modifi ée en fonctionnement etcontrôlée par un superviseur via une communication isolée sériebidirectionnelle. Cette technique permet 1024 niveaux de tensionde grille positifs différents, qui peuvent ensuite être utilisés pourla caractérisation des pertes de commutation. Grâce à l'utilisationd'un microcontroleur côté grille de puissance, d'autres fonctionna-lités sont inclues telles que la mesure des tensions d'alimentation,la remontée d'informations ou encore l'ajustement d'indicateurlumineux. Nous proposons ces travaux en science ouverte, où lehardware et le software sont open-source, sur serveur Gitlab duCNRS.