Résumé

Cet article explore l'influence de la technologie des semiconducteurs sur la bande passante des convertisseurs de puissance, en se concentrant particulièrement sur les mécanismes de pertes des MOSFET en carbure de silicium et les non-idéalités des cellules de commutation. Un modèle pour le contenu harmonique en fonction de la fréquence de commutation est introduit afin d'évaluer les limites potentielles de la bande passante en se basant sur la distorsion harmonique totale du courant de sortie. Étant donné que la relation entre la bande passante et la fréquence de commutation est directement proportionnelle à la limite de THD du courant de sortie, il devient crucial d'étudier les limitations de température et les mécanismes de pertes des composants utilisés dans la cellule de commutation afin de garantir un convertisseur viable. Des résultats de simulation et expérimentaux sont utilisés pour vérifier la précision des modèles de pertes et évaluer la relation entre la THD et la fréquence de commutation, en tenant compte de l'ondulation du courant, de l'effet de la capacité parasite de l'inductance de sortie, de la saturation du noyau magnétique, ainsi que de l'impact du temps mort.