Résumé

Actuellement, les composants à semi-conducteur de puissance sont basés sur des structures volumineuses pour tenir la tension. Dans ce contexte, une nouvelle terminaison (Deep Trench termination ? DT2) basée sur une tranchée remplie de BenzoCycloButène (BCB) a été proposée en 2008. Pour la première fois, une diode DT2 a été reportée sur un substrat DBC (Direct Bonded Copper) en utilisant le procédé de frittage d'argent, afin de confirmer la faisabilité d'intégrer cette nouvelle technologie dans les futurs assemblages de puissance. Dans un second temps, l'assemblage a été soumis à un vieillissement accéléré afin de confirmer la stabilité électrique de cette terminaison. Des mesures de tenue en tension, des observations optiques et des simulations sous TCAD-SENTAURUS ont été effectuées afin de fournir une explication aux phénomènes induits lié au vieillissement.