Résumé

La composition de couches de nitrure de silicium(SiNx), variant de stœchiométries riches en N à riches en Si,influence de manière significative leurs propriétés structurales etélectriques. Dans cette étude, nous examinons les caractéristiquesdépendantes de la composition de couches amorphes SiNx,déposées par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma(PECVD), en utilisant la microsonde électronique (FEG-EPMA),la spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier (FTIR), laspectrométrie de masse d'ions secondaires (SIMS), et laspectroscopie diélectrique large bande à haute tension (HVBDS).Il est constaté que les couches amorphes SiNx déposées parPECVD contiennent de l'hydrogène lié aux atomes de Si et de N,sous forme de liaisons Si-H et N-H, qui varient avec le rapport x= [N]/[Si] du SiNx. Ces couches présentent une large gamme depropriétés de conduction électrique, de sorte que la HVBDS àbasse fréquence s'avère être une technique puissante révélantclairement la transition structurale entre les types riches en N etriches en Si du SiNx. Nous présentons et discutons l'influence dela structure de liaison Si-N et du processus d'hydrogénation surla conductivité AC à basse fréquence en fonction des différentsrapports de SiNx.