Robustesse de MESFET SiC face aux décharges électrostatiques

Auteurs : Phulpin Tanguy ¹, Tremouilles David¹, Isoird Karine ¹, Austin Patrick ¹, Leon Javier², Vellvehi Miquel², Perpinya Xavier², Jorda Xavier²

Affiliations : 1 - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes - LAAS (France), 2 - Institut de Microelectronica de Barcelona - Centre Nacional de Microelectronica IMB-CNM (Espagne)

Thématique : Sûreté de fonctionnement : fiabilité…
Session : SP-1E "Sûreté de fonctionnement : fiabilité…"