Analyse par électroluminescence des dégradations de transistors MOSFET-SiC

Auteurs : Nguyen Tien Anh¹, Echeverri Andres¹, Mbarek Safa¹, Moultif Niemat¹, Dherbécourt Pascal ¹, Latry Olivier¹, Joubert Eric¹

Affiliations : 1 - Groupe de physique des matériaux - GPM (France)

Thématique : Sûreté de fonctionnement : fiabilité…
Session : SP-1E "Sûreté de fonctionnement : fiabilité…"