Résumé

Les caractéristiques électriques de couches de SiO2 déposées par PECVD-TEOS, destinées à la passivation primaire de composants de puissance en carbure de silicium (SiC) sont étudiées. Bien que ce type de films soit déjà très utilisé, leurs propriétés sont peu connues aux températures élevées voisines de 250 °C et au-delà, telles que visées par les nouveaux dispositifs en SiC. Les résultats ont montré qu'un traitement thermique de ce type de dépôt de SiO2 permet d'améliorer ses performances électriques. La rigidité diélectrique des films recuits à 400 °C durant une heure sous azote, mesurée dans une gamme de température étendue jusqu'à 300°C indique que ce type de matériau reste un bon candidat pour la passivation primaire à haute température, avec une rigidité diélectrique voisine de 6 MV/cm à 300°C, valeur très élevée comparée à celles d'autres matériaux utilisés pour la passivation des composants.