Résumé

La technologie « Silicon On Insulator » (SOI) est de plus en plus employée pour la fabrication d'électronique intégrée haute température. En effet, avec des températures ambiantes de fonctionnement supérieures à 230 °C, elle est particulièrement indiquée pour la réalisation de circuit intégré pour commander des interrupteurs de puissance Grand-Gap en environnements extrêmes. Le but de cette étude est de définir les limites de cette technologie à haute température. Pour y parvenir, des transistors MOSFET et des structures de test ont été caractérisées de -75 à +250 °C en statique. Les différents MOSFET utilisés sont fonctionnels sur cette plage de température et aucune dégradation n'a été observée après ces premiers tests. Des structures d'électromigration en AlCu(0. 5 wt %) ont été testées à 250 °C pour trouver la limite de la densité de courant admissible dans les interconnexions métalliques à haute température. Une durée de vie plus faible qu'envisagée par le modèle théorique a été trouvée sur toutes les structures testées.