Résumé

Nous nous intéressons dans cet article au comportement thermique des transistors GaN du puissance fabriqués par EPC (eGaN FET) afin de pouvoir estimer précisément leurs pertes par commutation. Après avoir présenté l'évolution des caractéristiques statiques en fonction de la température, nous détaillons la méthode calorimétrique, associée à de la simulation par éléments finis, que nous avons utilisée pour estimer ces pertes, ainsi que le modèle thermique simplifié que nous avons validé. Nous avons utilisé ces résultats pour enrichir le modèle de simulation circuit du transistor eGaN FET afin d'accéder efficacement à l'évolution de la température de jonction en simulation.