Résumé

Depuis l'observation d'une tre?s forte permittivite? die?lectrique sur la ce?ramique CaCu3 Ti4 O12 au de?but des anne?es 2000, de nombreux travaux ont e?te? effectue?s pour comprendre l'origine physique de ce phe?nome?ne. Les diffe?rentes techniques de caracte?risations e?lectriques de?ja? utilise?es ont conduit a? proposer qu'une polarisation interfaciale existerait dans la microstructure de ce mate?riau me?tallise?. Dans cet article, la mesure capacite?- tension (C-V), couramment utilise?e pluto?t dans le domaine des semi-conducteurs a e?te? exploite?e pour caracte?riser nos e?chantillons. Les re?sultats des mesures ont montre? que l'allure de la re?ponse peut s'apparenter au comportement d'une double structure Me?tal- Isolant-Semi-conducteur (MIS). Une comparaison des re?sultats expe?rimentaux avec une simulation nume?rique d'un mode?le double structure MIS a montre? une bonne ade?quation tant en basses qu'en hautes fre?quences. De plus, ce mode?le permet de donner des e?le?ments sur le comportement e?lectrique non syme?trique du mate?riau, une proprie?te? observe?e mais qui n'est pas prise en compte par les mode?les existants.