Résumé

De nombreux travaux cherchent à améliorer les performances des convertisseurs d'énergie électrique embarqués à bord des futurs avions. Les transistors à base de carbure de silicium (SiC) et nitrure de gallium (GaN), qui peuvent commuter plus rapidement que leurs homologues à base de silicium, offrent, dans ce cadre, des perspectives intéressantes. Cet article présente l'étude d'un convertisseur DC/DC Bidirectionnel Isolé (appelé Dual Active Bridge, DAB) qui fera l'interface entre les bus de tension continue 28V et 540V des avions du futur. Les trois degrés de liberté qu'offre ce type de convertisseur permettent la minimisation des pertes dans les semiconducteurs aux prix d'une commande très complexe. Nous présentons ici une méthode plus simple mais qui permet une forte réduction des pertes dans les semiconducteurs.